弯道超车？三星3nm制程或有可能先于台积电投产！

　　TechSpot 等外媒报导，三星向投资人简报表示，正全力准备让 GAA 架构的 3nm 制程在今年上半年进入投产阶段，也就是在未来八周内启动量产程序，意味 3nm 量产倒数计时。

　　三星表示，相较于目前旗下 7nm FinFET 架构制程，新的 3nm 制程所生产的芯片，可以在 0.75 伏特以下的低电压环境工作，使整体耗电量降低 50%，效能提升 30%，芯片体积减少 45%。

　　分析师指出，三星的 3nm 制程所能达到的晶体管密度，最终可能与英特尔的制程 4 或者台积电的 nm 米家族当中的 4nm 相当，但是频宽与漏电控制表现会更好，带来更优异的效能。

　　但目前无法得知的最大变量，是三星的 3nm 制程良率能有多好。三星先前全力发展的 4nm 制程就因良率太低，导致主要客户大幅转单台积电。业界传出，目前三星 3nm 良率仅约 10% 出头，但未获三星证实。