根据韩联社报道,三星电子预计将在下周宣布,他们将开始大规模生产3纳米芯片,而下一代的3纳米芯片将使用GAA技术。
三星官方介绍称,与现有的FinFET工艺相比,新的“GAA(Gate-All-Around)”技术将使芯片面积减少45%,同时性能提高30%,功耗降低50%。
三星与台积电在芯片制造领域一直都保持着激烈的竞争。全球最大的合约芯片制造商台积电表示,它将在今年下半年开始大规模生产3纳米芯片。而此前三星表示,其2纳米工艺节点正处于早期开发阶段,计划在2025年实现量产。
原本我以为在小红书笑嘻嘻冲浪的歪果仁已经够超前了,没想到韩国人比他们还早一步。
活人怎么可以被超度呢?这是不知所谓!——不是啊,活人也需要破地狱的,活人也有很多地狱。
游科,你还有多少惊喜是我们不知道的?